，為T(mén)iB_2和Ti_3SiC_2在復(fù)合材料領(lǐng)域之中的應(yīng)用打下了一定的基礎(chǔ)。用粉末冶金的方法制備了石墨-銅基復(fù)合材料、導(dǎo)電陶瓷顆粒/石墨-銅基復(fù)合材料和鍍銅導(dǎo)電陶瓷顆粒/石墨-銅基復(fù)合材料。在五類(lèi)銅基復(fù)合材料密度相近的情況下，研究導(dǎo)電陶瓷含量對(duì)其電阻率、硬度和抗彎性能的影響。隨著導(dǎo)電陶瓷顆粒含量的增加，銅基復(fù)合材料的硬度和抗彎強(qiáng)度均逐漸的增加，電阻率逐漸減小；對(duì)比相同成分的導(dǎo)電陶瓷/石墨-銅基復(fù)合材料和鍍銅導(dǎo)電陶瓷/石墨-銅基復(fù)合材料，前者的硬度和抗彎強(qiáng)度比后者低，導(dǎo)電性比后者差。
　　這五類(lèi)復(fù)合材料的機(jī)械磨損和電磨損性能

，發(fā)現(xiàn)五類(lèi)復(fù)合材料的電磨損量均大于機(jī)械磨損量；對(duì)比石墨-銅基復(fù)合材料

、導(dǎo)電陶瓷顆粒/石墨-銅基復(fù)合材料和鍍銅導(dǎo)電陶瓷顆粒/石墨-銅基復(fù)合材料的機(jī)械磨損量

、電磨損量和電壓降，石墨-銅基復(fù)合材料的高

，陶瓷顆粒/石墨-銅基復(fù)合材料次之

，鍍銅陶瓷顆粒/石墨-銅基復(fù)合材料的低